2013-03-24 21:51:47
1.如有休克首先治疗休克（见休克节）。
2.如有出血，应立即止血。轻微或中度出血，可采用加压包扎或填塞法止血；四肢大血管出血，先上止血带并准备尽快手术止血，术前应每30min放松止血带1次。失血较多时，应及时输液输血。出血不止时，应紧急手术止血。疼痛较重者，可给哌替啶或吗啡，也可给其他镇静剂、镇痛药。有骨折时，应适当固定伤肢。
3.有筋膜间隙综合征和挤压综合征者，应及时处理（急性肾衰治疗见第七篇第六章）。
4.严重闭合性挫伤的治疗
(1）早期在肢体周围放置冰袋或作冷敷，待出血停止（一般在24～48h后），改用热敷，促进局部淤血吸收。必要时，予抗生素防治感染。
(2）若水肿严重，影响肢体血液循环，或小腿、前臂严重挤压伤有肌肉功能障碍及动脉搏动减弱者，应早期切开减张，将皮肤、深筋膜和肌膜纵行多处切开，然后用生理盐水纱布条疏松填上流。若中毒症状严重，保留患肢将危及生命，应考虑截肢。
5.开放性创伤，除表浅的擦伤及小的刺伤外，应尽早作初期外科处理（清创术）。
(1）根据伤情、创口位位、大小及形状，选用氨胺酮静脉麻醉、局部麻醉、臂丛神经阻滞、椎管内麻醉或吸入麻醉。
(2）清创术步骤及注意点：①解除急救包扎，创口内暂时填塞无菌纱布，创口周围先用肥皂水、清水（必要时用汽油或乙醚）洗去皮肤的血渍和污垢，剃除毛发。然后取出填塞物，清除创口内异物，用大量生理盐水冲洗创口数次，拭干后再用无菌纱布覆盖创口，用碘酊及乙醇消毒创口周围皮肤，并辅以无菌巾。②除大出血外，不应在缚止血带下清创，以免影响对组织活力的辨别。③充分切开皮肤和深筋膜，彻底暴露伤道。切开方向与肌纤维、大血管和神经的走向一致，必要时在深筋膜切口两端各加一横切口，以解除其张力。④沿创口边缘切除皮肤（一般不超过0.2～0.6cm）及皮下组织，注意勿损伤重要血管及神经。头皮、面部及手部的皮肤除确已坏死者外，应尽量保留。凡已失去活力的组织，均应全部切除。⑤清除伤道内一切肉眼可见的异物，如致伤异物已进入深部组织，不宜寻找时间过长，以免损伤过多健组织或扩大污染范围。⑥如发现神经或肌健损伤，可根据具体情况考虑缝合或作定位缝合。⑦彻底清创后，再用生理盐水冲洗创口，以清除一切微小异物、血块、组织碎片，并仔细止血。
(3）创口缝合：按致伤原因、伤后时间、创口部位、污染程度及平战时条件等，考虑创口应否作一期缝合。①伤后6～8h内经彻底清创后一般可行初期缝合。损伤6～8h以后清创者，可不作初期缝合而用生理盐水纱布松填，待3d后无继发感染时再作延期缝合。但不应机械地受时间限制，应根据创伤部位及性质等酌情决定。如受伤后24～72h内的头皮、颈部及颜面部损伤以及胸、腹、关节腔等，虽受伤时间较长，如无明显感染，清创后仍可考虑作初期缝合。若创面过大、组织破坏过多、污染严重或为战伤，虽早期施行清创术，也不应作初期缝合。②头部损伤经彻底清创后，创口不应有颅骨暴露，应用松动的头皮覆盖。面部损伤彻底处理后，争取初期缝合，如有感染可能，可将皮肤作定位缝合。③手部伤不应使肌健和神经暴露，须用肌内和松动的皮瓣覆盖。如创口较大不能缝合时，宜及早植皮。④较浅的贯通伤，如出入口接近，可将伤道间表面的组织切开，变两个创口为一个，清创后可根据平战时条件决定是否作初期缝合。伤道很深的贯通伤，须分别处理出入口，不应作初期缝合。⑤缝合时，应注意消除死腔，逐层缝合，缝后创口应无张力。
(4）清创后的处理：①行初期缝合的创口，必要时可置橡皮片引流，术后24～48h拔除；面部及手部创口不宜放引流。②缝合的创口，如有感染或出血现象时，应立即拆除缝线，以利引流或止血；如无感染的创口，可不更换敷料，待适当时间拆线。③未缝合的创口，如无感染，可在术后3～8d作延期缝合；有感染者，参照药部分处理。④酌情应用抗生素，但创口内不用磺胺药或抗生素。⑤创面深、血循环差者，可酌情采用高压氧治疗；久治不愈的创面，可用表皮生长因子(EGF）或成纤维细胞生长因子(FGF）促进愈合；创面大、愈合困难者，视情况植皮。
6.预防破伤风常规处理
(1）基础免疫：儿童用百日咳菌苗、白喉、破伤风类毒素混合制剂作皮下或肌内注射，第一年2针，各0.5ml，间隔4～6周；次年再注射1针。15岁以上及成人用霍乱、伤寒、副伤寒甲乙菌苗、破伤风类毒素混合制剂皮下注射3针，分别为0.5、1.0、1.0ml，间隔2～4周；1年后再注射1ml。未用上述混合制剂免疫者，亦可用吸附精制破伤风类毒素皮下注射2次，各0.5ml，间隔4～8周；1年后再注射0.5ml。
(2）加强免疫：曾经基础免疫者，可隔5～10年注射0.5ml。
(3）伤后免疫：经全程基础免疫或加强免疫者，在未次注射1年半内受伤时，不需注射类毒素或抗毒素；超过1年半者，可注射破伤风类毒素0.5ml。开放性创伤或伤前未经全程免疫者，除注射破伤风类毒素外，可酌情在创口周围组织内或另一部位肌内注射精制破伤风抗毒素1500～3000U。